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2024 年 9 月，上海微电子一项编号为 CN6.7 的专利，那但是在全球半导体圈投下了一颗重磅炸弹！
这项名为 “极紫外辐射发生设备及光刻设备” 的技能，初次在 EUV 光刻机中心子系统上取得实质性打破，这在某种程度上预示着什么？
这意味着咱们我国在 EUV 光刻机这条困难的赛道上，总算跑出了自己的节奏！
回想 2019 年，西方商场建议 “芯片围歼”，那时候咱们真的是四面楚歌，处处受限。
要知道，光刻机但是芯片制作的 “皇冠”，而 EUV 光刻机更是皇冠上那颗最耀眼的明珠。
没有它，就很难制作出高端芯片，就像巧妇难为无米之炊，咱们的芯片工业高质量开展被死死卡住了脖子。
好在，这些年咱们的科研人员憋着一股劲儿，埋头苦干，现在六年曩昔，总算走出了归于自己的路，并且仍是三条路一同走！
ASML 在 EUV 光刻机范畴那但是 “老大哥” 一般的存在，他们选用的是激光等离子体（LPP）技能路途。
上海微电子走的便是这条对标 ASML 的路，全程躲避美规，选用 1x 千瓦 / 60khz 的超高重复频率二氧化碳激光打靶。
这就比如一场困难的马拉松，ASML 跑在了前面，但咱们也在紧紧追逐，每一步都踏踏实实地跨进，一直在优化技能，提高功能。
哈尔滨工业大学的 “放电等离子体极紫外光刻光源” 技能，斩获立异大奖，这但是咱们的 “秘密武器”！
它走的是放电等离子体（DPP）技能路途，和传统的 LPP 路途不同，就像是另辟蹊径，企图完成弯道超车。
DPP 技能运用电磁紧缩和等离子体不稳定性来发生高温高密度的等离子体，从而取得极紫外光。
这种技能结构相对简略，无需贵重的超导磁体，本钱更低，并且可运用氢 - 硼燃料进行无中子聚变，避免了传统技能发生的高能中子问题，优势显着。
哈工大凭仗这项技能，为国产 EUV 光刻机的开展注入了新的生机，让咱们在这场全球科学技能比赛中有了更多的底气。
上海光源的小型加速器试验，为下一代自由电子激光（FEL）路途铺平了路途。
FEL 技能路途就像是一场对未来的布局，它运用自由电子发生的相干辐射作为光源，具有高亮度、短脉冲、波长接连可调等许多长处。
一旦成功完成工业化使用，将极大地提高 EUV 光刻机的功能和精度，为我国芯片制作技能带来质的腾跃。
现在，国产 EUV 光刻机的打破，可不仅仅一台设备的自主化，它更是一个信号，标志着我国在精细加工、超净资料等高端制作系统的全面晋级。
假如咱们能在 2025 - 2028 年这个要害窗口期内，完成光源功率打破和工业链协同，那我国有望成为全国际首个一同把握 LPP、DPP、FEL 三种 EUV 技能的国家！
现在，咱们正一步步成为规范的制定者，让国际看到我国科技的力气！家人们，让咱们一同为我国科技加油。
