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在目前商品化LED 之材料及其外延技术中，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP 材料为主。
一般来说，GaN 的成长须要很高的温度来打断NH3 之N-H 的键解，另外一方面由动力学仿线 和MO Gas 会进行反应产生没有挥发性的副产物。
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测(光荧光、X 射线) - 外延片;
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - P 型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片- 芯片分检、分级
切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表明产生二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程能处理的规格。此过程产生废磨片剂。
清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此流程产生有机废气和废有机溶剂。
SPM 清洗：用H2SO4 溶液和H2O2 溶液按比例配成SPM 溶液，SPM 溶液具有很强的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2 和H2O。用SPM 清洗硅片可去除硅片表面的有机污物和部分金属。此工序会产生硫酸雾和废硫酸。
DHF 清洗：用一定浓度的氢氟酸去除硅片表面的自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上的金属也被溶解到清洗液中，同时DHF 抑制了氧化膜的形成。此过程产生氟化氢和废氢氟酸。
APM 清洗：APM 溶液由特殊的比例的NH4OH溶液、H2O2 溶液组成，硅片表面由于H2O2 氧化作用生成氧化膜(约6nm呈亲水性)，该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后立即又发生氧化，氧化和腐蚀反复进行，因此附着在硅片表面的颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。此处产生氨气和废氨水。HPM 清洗：由HCl 溶液和H2O2 溶液按特殊的比例组成的HPM，用于去除硅表面的钠、铁、镁和锌等金属污染物。此流程产生氯化氢和废盐酸。
磨片检测：检测经过研磨、RCA 清洗后的硅片的质量，不符合标准要求的则从新进行研磨和RCA 清洗。
腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，一般会用化学腐蚀去除。腐蚀A 是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、NOX 和废混酸;腐蚀B 是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A，一部分采用腐蚀B。分档监测：对硅片进行损伤检测，存在损伤的硅片重新进行腐蚀。
粗抛光：使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在10~20um。此处产生粗抛废液。
精抛光：使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下，从而的到高平坦度硅片。产生精抛废液。
芯片到制作成小芯片之前，是一张比较大的外延片，所以芯片制作流程与工艺有切割这快，就是把外延片切割成小芯片。它应该是LED制作的步骤中的一个环节。
LED 晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)晶片型号发光颜色组成元素波长(nm)
